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电子技术基础作业习题

发布时间:2014-04-26 14:02:56  

一、填空题:

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半

导体内的多数载流子为 ,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体

内的多数载流子为 ,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电。

2、三极管的内部结构是由区、结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极和 极。

二、判断正误:(每小题1分,共10分)

( ) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 ( )2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 ( )3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。 ( )4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。 ( )5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。

三、选择题

1、单极型半导体器件是( )。

A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。

A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是( )。

A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( )。

A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是( )而成。

A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。

四、简述题

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

参考答案:

一、填空题

1. 五 自由电子 空穴 正 三 空穴 自由电子 负

2. 发射 基 集电区 发射 集电 发射 基 集电

二、判断题

1.× 2.√ 3. × 4. × 5. ×

三、选择题

1.C 2.A 3.C 4.C 5.A

四、简述题

1.答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。

2.答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

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