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MOSFET作业错误最多的题

发布时间:2014-01-14 09:52:53  

24:

理想MOS电容:n+poly 和本征硅,

功函数差=X-(X+Eg/2)=-Eg/2<0,

所以VFB<0.

能带图:

因为是本征硅半导体不会存在耗尽层,

所以V<VFB,半导体表面趋于P型,表面积累空穴,可看成COX一极板。 同理:V>VFB,表面积累电子,可看成COX一极板。

电容近似为COX,只不过平带附近因为表面势小,电荷变化率的问题,C略有下降。

30:(c)分情况讨论,VT=0.8V,VDS=0.1V

VGS<0.8v时无沟道,ID=0,VDS=0.1V,

0.8<VGS<0.9,0<VDSsat<0.1<VDS,MOSFET处于饱和区,ID和vgs二次方, 0.9<VGS,MOSFET处于非饱和区,ID和vgs线性

33:

(1)VGD=0,,VGS=VDS,而且器件处于饱和太,ID正比于(VGS-VT)2, 画ID~VDS曲线,同ID~VGS曲线。

(2)VGD=VT/2,器件处于饱和太,ID正比于(VGS-VT)2,

ID~VDS曲线:ID正比于(VGS-VT)2=(VDS+VT/2-VT)2

(3)VGD=2VT,假定VDS>=0,,

则VGS=VDS+2VT,所以VGS>2VT,q器件始终处于非饱和区,

ID= 2VDS(VGS-VT)-VDS2=2VDS(VDS+2VT-VT)-VDS2=

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